一種電流孔徑垂直電子晶體管外延結(jié)構(gòu)
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201922200106.7 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN211017086U | 公開（公告）日 | 2020-07-14 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN211017086U | 申請(qǐng)公布日 | 2020-07-14 |
| 分類號(hào) | H01L29/78(2006.01)I | 分類 | - |
| 發(fā)明人 | 左萬(wàn)勝;鈕應(yīng)喜;程海英;鐘敏;郗修臻;張曉洪;劉錦錦;劉洋;史田超 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 啟迪微電子（蕪湖）有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 蕪湖安匯知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 啟迪新材料（蕪湖）有限公司;蕪湖啟迪半導(dǎo)體有限公司 |
| 地址 | 241000安徽省蕪湖市弋江區(qū)高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)服務(wù)外包產(chǎn)業(yè)園3號(hào)樓18層 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本實(shí)用新型公開了一種電流孔徑垂直電子晶體管外延結(jié)構(gòu)，所述電流孔徑垂直電子晶體管外延結(jié)構(gòu)由下至上依次包括：GaN自支撐襯底或硅基襯底、n型摻雜GaN漂移層A、多周期GaN/AlGaN隧穿層、n型摻雜GaN漂移層B、導(dǎo)通孔徑層、GaN溝道層；并且在所述導(dǎo)通孔徑層的兩側(cè)還分別設(shè)有電流阻擋層；通過(guò)在漂移區(qū)內(nèi)插入多周期GaN/AlGaN隧穿層，通過(guò)調(diào)控多周期的周期數(shù)、多周期內(nèi)的GaN與AlGaN的厚度及Al組分，提高器件的耐壓特性，通過(guò)隧穿效應(yīng)顯著緩解器件擊穿電壓與導(dǎo)通電阻之間的矛盾，改善器件的穩(wěn)定性和可靠性。?? |
