一種電流孔徑垂直電子晶體管外延結(jié)構(gòu)及其制備方法
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN201911260778.5 | 申請日 | - |
| 公開（公告）號 | CN110797409A | 公開（公告）日 | 2020-02-14 |
| 申請公布號 | CN110797409A | 申請公布日 | 2020-02-14 |
| 分類號 | H01L29/78;H01L21/335;H01L29/06 | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 左萬勝;鈕應(yīng)喜;程海英;鐘敏;郗修臻;張曉洪;劉錦錦;劉洋;史田超 | 申請（專利權(quán)）人 | 啟迪微電子（蕪湖）有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 蕪湖安匯知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 啟迪新材料（蕪湖）有限公司;蕪湖啟迪半導(dǎo)體有限公司 |
| 地址 | 241000 安徽省蕪湖市弋江區(qū)高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)服務(wù)外包產(chǎn)業(yè)園3號樓18層 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開了一種電流孔徑垂直電子晶體管外延結(jié)構(gòu)及其制備方法，所述電流孔徑垂直電子晶體管外延結(jié)構(gòu)由下至上依次包括：GaN自支撐襯底或硅基襯底、低摻雜n型GaN漂移層A、多周期GaN/AlxGa1?xN隧穿層，其中0 |
