碳化硅外延生長用石墨盤基座
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201922201374.0 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN211005719U | 公開（公告）日 | 2020-07-14 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN211005719U | 申請(qǐng)公布日 | 2020-07-14 |
| 分類號(hào) | C30B29/36(2006.01)I;C30B25/18(2006.01)I | 分類 | - |
| 發(fā)明人 | 鈕應(yīng)喜;左萬勝;郗修臻;張曉洪;劉錦錦;劉洋;史田超;章學(xué)磊 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 啟迪微電子（蕪湖）有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 蕪湖安匯知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 啟迪新材料（蕪湖）有限公司;蕪湖啟迪半導(dǎo)體有限公司 |
| 地址 | 241000安徽省蕪湖市弋江區(qū)高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)服務(wù)外包產(chǎn)業(yè)園3號(hào)樓18層 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本實(shí)用新型公開了一種碳化硅外延生長用石墨盤基座，包括基座本體和口袋，基座本體的頂面包括第一上表面，基座本體的底面包括第一下表面，口袋設(shè)置于第一上表面上，所述第一上表面和所述第一下表面均為圓錐面，第一上表面和第一下表面的錐度大小相同且第一上表面的母線與第一下表面的母線相平行。本實(shí)用新型的碳化硅外延生長用石墨盤基座，因SiC生長過程中會(huì)存在“耗盡”現(xiàn)象，導(dǎo)致了外延片徑向上各點(diǎn)的生長速率及摻雜濃度隨徑向位置變化而有所差異，造成了外延片厚度及濃度的不均勻性，通過在基座本體的頂面設(shè)置圓錐面，提高外延片厚度均勻性，同時(shí)在底面設(shè)置與頂面錐度大小相同的圓錐面，以提高溫場的均勻性，從而可以提高摻雜濃度均勻性。?? |
