一種P型SiC外延及其生長方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010095671.6 申請日 -
公開（公告）號 CN111293037A 公開（公告）日 2020-06-16
申請公布號 CN111293037A 申請公布日 2020-06-16
分類號 H01L21/02(2006.01)I 分類 -
發(fā)明人 左萬勝;鈕應(yīng)喜;劉錦錦;張曉洪;袁松;史天超;史文華;鐘敏 申請（專利權(quán)）人 啟迪微電子（蕪湖）有限公司
代理機構(gòu) 蕪湖安匯知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 啟迪新材料（蕪湖）有限公司;蕪湖啟迪半導(dǎo)體有限公司
地址 241000安徽省蕪湖市弋江區(qū)高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)服務(wù)外包產(chǎn)業(yè)園3號樓18層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種P型SiC外延及其生長方法，在P型外延層生長時使用銦源作為外延反應(yīng)腔氣體，提高Al并入晶格的幾率，增加P型摻雜濃度和摻雜效率，同時In原子半徑較大，In?C鍵較長，在H2這種還原性氣氛條件下其不能并入SiC晶格中，不會使晶格產(chǎn)生畸變。通過這種方法制備得到的P型SiC外延晶片在具備厚外延的同時，具有較低的導(dǎo)通電阻。??