等離子體增強化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201920994978.2 申請日 -
公開（公告）號 CN210458364U 公開（公告）日 2020-05-05
申請公布號 CN210458364U 申請公布日 2020-05-05
分類號 C23C16/50 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 王家平;霍冬冬 申請（專利權(quán)）人 英特爾半導(dǎo)體（大連）有限公司
代理機構(gòu) 北京永新同創(chuàng)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 英特爾半導(dǎo)體（大連）有限公司;英特爾公司
地址 116000 遼寧省大連市經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)淮河?xùn)|路
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型提供一種等離子體增強化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)(1),包括：基片能夠在其中被沉積薄膜的沉積室(3)，在所述沉積室(3)包括至少一個沉積工位；設(shè)置在所述沉積室(3)一側(cè)的氣體供給系統(tǒng)(5)，用于將反應(yīng)氣體分別供給到相應(yīng)的沉積工位上的基片的表面；部分地設(shè)置在所述沉積室(3)中以便對相應(yīng)的沉積工位進行加熱的加熱裝置(7)；以及設(shè)置在所述沉積室(3)另一側(cè)的用于激發(fā)等離子體的回路(10)；其特征在于，所述等離子體增強化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)(1)還包括對所述用于激發(fā)等離子體的回路(10)進行溫度控制的溫度控制裝置(17)。根據(jù)本實用新型，能夠改善在基片上沉積的薄膜的特性。