一種3DNAND存儲單元模組、存儲器以及制作方法
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN201910560500.3 | 申請日 | - |
| 公開（公告）號 | CN110277396B | 公開（公告）日 | 2019-09-24 |
| 申請公布號 | CN110277396B | 申請公布日 | 2019-09-24 |
| 分類號 | H01L27/11529(2017.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 焦圣杰 | 申請（專利權(quán)）人 | 英特爾半導體（大連）有限公司 |
| 代理機構(gòu) | 北京永新同創(chuàng)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 英特爾半導體（大連）有限公司;英特爾公司 |
| 地址 | 116000遼寧省大連市經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)淮河東路 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 提供一種3D NAND存儲單元模組。該存儲單元模組包括：堆疊結(jié)構(gòu)，所述堆疊結(jié)構(gòu)包括交錯布置的絕緣材料層與導電材料層；溝道層，所述溝道層沿著垂直于所述堆疊結(jié)構(gòu)的方向延伸貫穿所述絕緣材料層和所述導電材料層；以及半導體插塞，所述半導體插塞位于所述溝道層的端部，所述半導體插塞包括與所述溝道層相接觸的導電加強結(jié)構(gòu)，用于提高所述溝道層的電子遷移率。?? |
