晶圓拋光的拋光壓力控制方法、裝置和設(shè)備

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201910500512.7 申請日 -
公開（公告）號 CN110193776B 公開（公告）日 2020-07-03
申請公布號 CN110193776B 申請公布日 2020-07-03
分類號 B24B37/10;B24B37/005;B24B37/34;B24B37/30;B24B49/00 分類 -
發(fā)明人 劉明源;朱春雷;姜波 申請（專利權(quán)）人 英特爾半導(dǎo)體（大連）有限公司
代理機構(gòu) 北京永新同創(chuàng)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 英特爾半導(dǎo)體（大連）有限公司;英特爾公司
地址 116000 遼寧省大連市經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)淮河?xùn)|路
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種用于晶圓拋光設(shè)備的拋光壓力控制方法、裝置和設(shè)備。所述晶圓拋光設(shè)備包括多區(qū)加壓方式的拋光頭以對晶圓的表面進行拋光，其中，所述拋光頭將所述晶圓的受壓表面劃分為多個受壓區(qū)域并能夠獨立地對各個受壓區(qū)域的拋光壓力進行控制。所述方法包括：測量所述多個受壓區(qū)域中每個受壓區(qū)域的翹曲度；根據(jù)所述每個受壓區(qū)域的翹曲度來調(diào)整所述拋光頭對所述每個受壓區(qū)域的拋光壓力，并以調(diào)整后的拋光壓力對所述晶圓進行拋光處理。采樣本發(fā)明的拋光壓力控制方法，使得拋光后的晶圓表面更加平坦。