用于存儲(chǔ)器的溝道柱及其制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201910531021.9 申請日 -
公開（公告）號(hào) CN110176459B 公開（公告）日 2020-07-03
申請公布號(hào) CN110176459B 申請公布日 2020-07-03
分類號(hào) H01L27/11556;H01L27/11582;H01L27/1159;H01L27/11597;H01L27/22;H01L27/24 分類 -
發(fā)明人 焦圣杰 申請（專利權(quán)）人 英特爾半導(dǎo)體（大連）有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京永新同創(chuàng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 英特爾半導(dǎo)體（大連）有限公司;英特爾公司
地址 116000 遼寧省大連市經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)淮河?xùn)|路
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本公開提供了一種用于存儲(chǔ)器的溝道柱及其制造方法。根據(jù)本公開的一方面，一種用于形成存儲(chǔ)器中的溝道柱的方法包括：提供溝道柱結(jié)構(gòu)，其中，所述溝道柱結(jié)構(gòu)包括環(huán)繞中空區(qū)域的溝道區(qū)；在所述溝道柱結(jié)構(gòu)的所述中空區(qū)域中填入電介質(zhì)材料；以及在預(yù)定溫度下對所述溝道柱結(jié)構(gòu)進(jìn)行退火操作，其中，在所述退火操作后，所述電介質(zhì)材料擴(kuò)展以將壓縮應(yīng)力施加至所述溝道區(qū)。上述技術(shù)方案解決了存儲(chǔ)器中的低串電流問題，改善了存儲(chǔ)器件性能。