一種3D NAND存儲單元模組、存儲器以及制作方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201910560500.3 申請日 -
公開（公告）號 CN110277396A 公開（公告）日 2019-09-24
申請公布號 CN110277396A 申請公布日 2019-09-24
分類號 H01L27/11529;H01L27/11551;H01L27/1157;H01L27/11578 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 焦圣杰 申請（專利權(quán)）人 英特爾半導(dǎo)體（大連）有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京永新同創(chuàng)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 英特爾半導(dǎo)體（大連）有限公司;英特爾公司
地址 116000 遼寧省大連市經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)淮河?xùn)|路
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 提供一種3D NAND存儲單元模組。該存儲單元模組包括：堆疊結(jié)構(gòu)，所述堆疊結(jié)構(gòu)包括交錯布置的絕緣材料層與導(dǎo)電材料層；溝道層，所述溝道層沿著垂直于所述堆疊結(jié)構(gòu)的方向延伸貫穿所述絕緣材料層和所述導(dǎo)電材料層；以及半導(dǎo)體插塞，所述半導(dǎo)體插塞位于所述溝道層的端部，所述半導(dǎo)體插塞包括與所述溝道層相接觸的導(dǎo)電加強(qiáng)結(jié)構(gòu)，用于提高所述溝道層的電子遷移率。