增強(qiáng)半導(dǎo)體蝕刻能力的方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201910567610.2 申請日 -
公開（公告）號 CN110265290B 公開（公告）日 2019-09-20
申請公布號 CN110265290B 申請公布日 2019-09-20
分類號 H01L21/027(2006.01)I 分類 -
發(fā)明人 楊登亮;焦圣杰 申請（專利權(quán)）人 英特爾半導(dǎo)體（大連）有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京永新同創(chuàng)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 英特爾半導(dǎo)體（大連）有限公司;英特爾公司
地址 116000遼寧省大連市經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)淮河?xùn)|路
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種用于增強(qiáng)半導(dǎo)體圖案蝕刻能力的方法，包括：在半導(dǎo)體核心結(jié)構(gòu)上沉積掩模層，其中該核心結(jié)構(gòu)包括半導(dǎo)體襯底以及位于該半導(dǎo)體襯底之上的待形成圖案的半導(dǎo)體堆疊層，其中所述掩模層沉積在所述堆疊層之上；通過離子注入在所述掩模層內(nèi)摻雜離子，其中所述離子用于在蝕刻過程中鈍化所述掩模層上形成的圖案開孔的側(cè)壁以提高垂直方向上的蝕刻選擇性。??