離子注入方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201810236707.0 申請日 -
公開（公告）號(hào) CN108447781A 公開（公告）日 2018-08-24
申請公布號(hào) CN108447781A 申請公布日 2018-08-24
分類號(hào) H01L21/266 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 王克丞 申請（專利權(quán)）人 上海奧簡微電子科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海漢聲知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 上海奧簡微電子科技有限公司;深圳奧簡科技有限公司
地址 201601 上海市松江區(qū)泗涇鎮(zhèn)高技路655號(hào)3幢706室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種離子注入方法，包括：步驟1，在襯底上形成N阱與P阱；步驟2，在襯底的P阱區(qū)域或非N阱區(qū)域上設(shè)置第一掩膜，在N阱區(qū)域上設(shè)置第二掩膜；步驟3，進(jìn)行離子注入。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下優(yōu)點(diǎn)：除了在P阱場氧化層底下形成溝道阻斷的作用外，也可以注入在N阱區(qū)、或遮擋P阱某些特定區(qū)域的P場注入、也就是P場注入不再局限于所有P阱范圍，而是可以在芯片中任意需要的位置區(qū)域來產(chǎn)生所要的器件。本發(fā)明在同樣的工序下，讓P場注入不僅只提供溝道阻斷的功能，還能形成多種非制式器件，發(fā)揮現(xiàn)有制程的更大效益，豐富芯片的效能。