肖特基二極管的制備方法
基本信息
申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201210141590.0 | 申請(qǐng)日 | - |
公開(公告)號(hào) | CN102655091A | 公開(公告)日 | 2012-09-05 |
申請(qǐng)公布號(hào) | CN102655091A | 申請(qǐng)公布日 | 2012-09-05 |
分類號(hào) | H01L21/329(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 馮永浩 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人 | 廣州晟和微電子有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 北京路浩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 廣州晟和微電子有限公司 |
地址 | 510380 廣東省廣州市荔灣區(qū)花地大道中83號(hào)金昊大廈1408 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明公開了一種肖特基二極管的制備方法,涉及電子元器件制備技術(shù)領(lǐng)域,所述方法包括以下步驟:S1:在硅襯底上表面沉積多晶硅層;S2:進(jìn)行預(yù)設(shè)時(shí)間的高溫處理和退火處理,以實(shí)現(xiàn)在所述硅襯底和多晶硅層之間形成類外延層;S3:去除表面的多晶硅層。本發(fā)明的制備方法替代了傳統(tǒng)的高成本的外延工藝,大大降低了制作肖特基二極管的成本,并簡(jiǎn)化了制備步驟。 |
