肖特基二極管的制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201210141590.0 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN102655091A 公開（公告）日 2012-09-05
申請(qǐng)公布號(hào) CN102655091A 申請(qǐng)公布日 2012-09-05
分類號(hào) H01L21/329(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 馮永浩 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 廣州晟和微電子有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京路浩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 廣州晟和微電子有限公司
地址 510380 廣東省廣州市荔灣區(qū)花地大道中83號(hào)金昊大廈1408
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種肖特基二極管的制備方法，涉及電子元器件制備技術(shù)領(lǐng)域，所述方法包括以下步驟：S1：在硅襯底上表面沉積多晶硅層；S2：進(jìn)行預(yù)設(shè)時(shí)間的高溫處理和退火處理，以實(shí)現(xiàn)在所述硅襯底和多晶硅層之間形成類外延層；S3：去除表面的多晶硅層。本發(fā)明的制備方法替代了傳統(tǒng)的高成本的外延工藝，大大降低了制作肖特基二極管的成本，并簡(jiǎn)化了制備步驟。