肖特基二極管的制備方法
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN201210141590.0 | 申請日 | - |
| 公開（公告）號 | CN102655091A | 公開（公告）日 | 2012-09-05 |
| 申請公布號 | CN102655091A | 申請公布日 | 2012-09-05 |
| 分類號 | H01L21/329(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 馮永浩 | 申請（專利權(quán)）人 | 廣州晟和微電子有限公司 |
| 代理機構(gòu) | 北京路浩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 廣州晟和微電子有限公司 |
| 地址 | 510380 廣東省廣州市荔灣區(qū)花地大道中83號金昊大廈1408 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開了一種肖特基二極管的制備方法，涉及電子元器件制備技術(shù)領(lǐng)域，所述方法包括以下步驟：S1：在硅襯底上表面沉積多晶硅層；S2：進行預(yù)設(shè)時間的高溫處理和退火處理，以實現(xiàn)在所述硅襯底和多晶硅層之間形成類外延層；S3：去除表面的多晶硅層。本發(fā)明的制備方法替代了傳統(tǒng)的高成本的外延工藝，大大降低了制作肖特基二極管的成本，并簡化了制備步驟。 |
