一種雙襯底氣化芯片
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202121707983.4 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN215798500U | 公開(kāi)（公告）日 | 2022-02-11 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN215798500U | 申請(qǐng)公布日 | 2022-02-11 |
| 分類(lèi)號(hào) | B81B1/00（2006.01）I;A61M11/00（2006.01）I | 分類(lèi) | 微觀結(jié)構(gòu)技術(shù)〔7〕; |
| 發(fā)明人 | 王敏銳;俞挺 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 美滿芯盛（杭州）微電子有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 蘇州瑞光知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 羅磊 |
| 地址 | 311231浙江省杭州市蕭山區(qū)經(jīng)濟(jì)技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)橋南春暉路1號(hào)-8（自主分割） | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本實(shí)用新型公開(kāi)了一種雙襯底氣化芯片，包括：基礎(chǔ)襯底和硅襯底，基礎(chǔ)襯底上設(shè)置有自頂面向內(nèi)凹陷形成的空腔，待氣化液體設(shè)置在空腔內(nèi)，空腔的底面上設(shè)置有液態(tài)源通道，基礎(chǔ)襯底的頂面上設(shè)置有接觸電極板，硅襯底底部設(shè)置有加熱電極板，加熱電極板通過(guò)鍵合金屬層與接觸電極板電連接，硅襯底上設(shè)置有第一氣化通道結(jié)構(gòu)，第一氣化通道結(jié)構(gòu)包括陣列排布的若干個(gè)第一氣化通道單元，第一氣化通道單元連通至空腔。本實(shí)用新型相較于現(xiàn)有技術(shù)，將陶瓷襯底或玻璃襯底與硅襯底組合形成雙襯底結(jié)構(gòu)，氣化芯片上氣化孔的孔徑均勻，將氣化芯片的加熱區(qū)域和外圍固定結(jié)構(gòu)進(jìn)行熱隔離，降低熱導(dǎo)，提升電加熱氣化效率。 |
