一種雙襯底氣化芯片

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202121707983.4 申請日 -
公開（公告）號 CN215798500U 公開（公告）日 2022-02-11
申請公布號 CN215798500U 申請公布日 2022-02-11
分類號 B81B1/00（2006.01）I;A61M11/00（2006.01）I 分類 微觀結(jié)構(gòu)技術(shù)〔7〕;
發(fā)明人 王敏銳;俞挺 申請（專利權(quán)）人 美滿芯盛（杭州）微電子有限公司
代理機構(gòu) 蘇州瑞光知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 羅磊
地址 311231浙江省杭州市蕭山區(qū)經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)橋南春暉路1號-8（自主分割）
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型公開了一種雙襯底氣化芯片，包括：基礎(chǔ)襯底和硅襯底，基礎(chǔ)襯底上設(shè)置有自頂面向內(nèi)凹陷形成的空腔，待氣化液體設(shè)置在空腔內(nèi)，空腔的底面上設(shè)置有液態(tài)源通道，基礎(chǔ)襯底的頂面上設(shè)置有接觸電極板，硅襯底底部設(shè)置有加熱電極板，加熱電極板通過鍵合金屬層與接觸電極板電連接，硅襯底上設(shè)置有第一氣化通道結(jié)構(gòu)，第一氣化通道結(jié)構(gòu)包括陣列排布的若干個第一氣化通道單元，第一氣化通道單元連通至空腔。本實用新型相較于現(xiàn)有技術(shù)，將陶瓷襯底或玻璃襯底與硅襯底組合形成雙襯底結(jié)構(gòu)，氣化芯片上氣化孔的孔徑均勻，將氣化芯片的加熱區(qū)域和外圍固定結(jié)構(gòu)進行熱隔離，降低熱導(dǎo)，提升電加熱氣化效率。