一種具有多孔熱隔離結(jié)構(gòu)的硅氣化芯片

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202121692043.2 申請日 -
公開（公告）號 CN215798499U 公開（公告）日 2022-02-11
申請公布號 CN215798499U 申請公布日 2022-02-11
分類號 B81B1/00（2006.01）I;A61M11/00（2006.01）I 分類 微觀結(jié)構(gòu)技術(shù)〔7〕;
發(fā)明人 王敏銳;俞挺 申請（專利權(quán)）人 美滿芯盛（杭州）微電子有限公司
代理機(jī)構(gòu) 蘇州瑞光知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 羅磊
地址 311231浙江省杭州市蕭山區(qū)經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)橋南春暉路1號-8（自主分割）
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型公開了一種具有多孔熱隔離結(jié)構(gòu)的硅氣化芯片，包括：硅襯底和電極板，電極板設(shè)置在硅襯底表面，電極板呈環(huán)形結(jié)構(gòu)，電極板內(nèi)側(cè)的硅襯底上設(shè)置有環(huán)狀氣化通道結(jié)構(gòu)，環(huán)狀氣化通道結(jié)構(gòu)包括若干個(gè)第一條形氣化通道單元，電極板一相對側(cè)的硅襯底上設(shè)置有弧形氣化通道結(jié)構(gòu)，弧形氣化通道結(jié)構(gòu)設(shè)置在電極板外側(cè)，弧形氣化通道結(jié)構(gòu)包括若干個(gè)第二條形氣化通道單元，硅襯底邊緣與弧形氣化通道結(jié)構(gòu)之間的硅襯底上設(shè)置有陣列排布的若干個(gè)熱隔斷孔。本實(shí)用新型相較于現(xiàn)有技術(shù)，采用硅襯底的芯片能均勻、快速、節(jié)能地對液體進(jìn)行電加熱氣化，多孔隔熱結(jié)構(gòu)減少傳遞到非有效工作區(qū)域的熱量，提升硅氣化芯片的熱場均勻性，并且降低功耗。