快閃存儲(chǔ)器的編程方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010954474.5 申請日 -
公開（公告）號 CN112201286B 公開（公告）日 2021-06-18
申請公布號 CN112201286B 申請公布日 2021-06-18
分類號 G11C11/34;G11C16/02 分類 信息存儲(chǔ);
發(fā)明人 聶虹;陳精緯 申請（專利權(quán)）人 中天弘宇集成電路有限責(zé)任公司
代理機(jī)構(gòu) 上海光華專利事務(wù)所（普通合伙） 代理人 施婷婷
地址 201203 上海市浦東新區(qū)中國（上海）自由貿(mào)易試驗(yàn)區(qū)盛夏路61弄張潤大廈1號2層201、202室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種快閃存儲(chǔ)器的編程方法，包括：提供一具有浮柵的閃存結(jié)構(gòu)，將閃存結(jié)構(gòu)的源極浮空；在漏極及襯底分別施加電壓，形成電場，產(chǎn)生電子空穴對，形成一次電子，其中，施加于襯底的電壓小于施加于漏極的電壓；在預(yù)設(shè)時(shí)間內(nèi)，空穴在電場作用下向下做加速度運(yùn)動(dòng)并撞擊閃存結(jié)構(gòu)中的襯底，產(chǎn)生二次電子；在柵極及襯底分別施加電壓，施加于襯底的電壓小于施加于柵極的電壓，使二次電子在垂直方向電場作用下形成三次電子注入浮柵中，完成編程操作。本發(fā)明通過編程電壓操作方式的改進(jìn)優(yōu)化，形成三次電子激發(fā)進(jìn)行編程，可以提高編程效率，降低功耗，編程讀取電流大，對隧穿氧化層損傷?。煌瑫r(shí)能避免本體貫通效應(yīng)，為閃存進(jìn)一步微縮創(chuàng)造條件。