NAND閃存編程方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010955900.7 申請日 -
公開（公告）號 CN112201295B 公開（公告）日 2021-09-17
申請公布號 CN112201295B 申請公布日 2021-09-17
分類號 G11C16/20（2006.01）I;G11C16/34（2006.01）I 分類 信息存儲;
發(fā)明人 聶虹;陳精緯 申請（專利權）人 中天弘宇集成電路有限責任公司
代理機構 上海光華專利事務所（普通合伙） 代理人 施婷婷
地址 201203上海市浦東新區(qū)中國（上海）自由貿(mào)易試驗區(qū)盛夏路61弄張潤大廈1號2層201、202室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種NAND閃存編程方法，包括：提供一NAND閃存陣列，將待編程的存儲單元初始化；于待編程的存儲單元的漏極上施加漏極電壓，將待編程的存儲單元的源極浮空；于待編程的存儲單元的柵極上施加編程電壓，保持第一時間段后將待編程的存儲單元的各端電壓泄放，完成編程；其中，待編程的存儲單元的漏極及襯底的電壓差不小于4V，第一時間段不大于100μs，編程電壓不大于10V。本發(fā)明的NAND閃存編程方法初始化后，施加漏極電壓并對源極做浮空處理，然后施加編程電壓完成編程，編程時的柵極電壓遠小于現(xiàn)有的隧穿（F?N）編程方式的柵極電壓，且編程時間短，可有效提高存儲單元的使用壽命及編程效率，同時降低功耗。