B4快閃存儲(chǔ)器的編程方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202011269500.7 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN112382327B 公開(kāi)（公告）日 2021-07-23
申請(qǐng)公布號(hào) CN112382327B 申請(qǐng)公布日 2021-07-23
分類號(hào) G11C16/04（2006.01）I;G11C16/10（2006.01）I 分類 信息存儲(chǔ);
發(fā)明人 聶虹;陳精緯 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 中天弘宇集成電路有限責(zé)任公司
代理機(jī)構(gòu) 上海光華專利事務(wù)所（普通合伙） 代理人 施婷婷
地址 201203上海市浦東新區(qū)中國(guó)（上海）自由貿(mào)易試驗(yàn)區(qū)盛夏路61弄張潤(rùn)大廈1號(hào)2層201、202室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種B4快閃存儲(chǔ)器的編程方法，包括：將P型溝道閃存器件的源極浮空；在P型溝道閃存器件的柵極、漏極及襯底分別施加電壓，空穴注入襯底，電子聚集在漏極形成一次電子；在漏極和襯底分別施加電壓，漏極和襯底之間形成電場(chǎng)，空穴在電場(chǎng)作用下向下做加速度運(yùn)動(dòng)并撞擊P型溝道閃存器件中的襯底，產(chǎn)生二次電子；在P型溝道閃存器件的柵極及襯底分別施加電壓，使二次電子在垂直方向電場(chǎng)作用下形成三次電子并與一次電子疊加注入浮柵中，完成編程操作。本發(fā)明通過(guò)編程電壓操作方式的改進(jìn)優(yōu)化，形成三次電子激發(fā)及帶間隧穿兩種方式的累加進(jìn)行編程，可以有效提高編程效率；同時(shí)能避免本體貫通效應(yīng)，為閃存進(jìn)一步微縮創(chuàng)造條件。