電荷捕獲型快閃存儲(chǔ)器的編程方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202011131877.6 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN112349328A | 公開（公告）日 | 2021-02-09 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN112349328A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-02-09 |
| 分類號(hào) | G11C16/04(2006.01)I;G11C16/10(2006.01)I | 分類 | 信息存儲(chǔ); |
| 發(fā)明人 | 聶虹;陳精緯 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 中天弘宇集成電路有限責(zé)任公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 上海光華專利事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 施婷婷 |
| 地址 | 201203上海市浦東新區(qū)中國(guó)（上海）自由貿(mào)易試驗(yàn)區(qū)盛夏路61弄張潤(rùn)大廈1號(hào)2層201、202室 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明提供一種電荷捕獲型快閃存儲(chǔ)器的編程方法，包括：開啟電荷捕獲型存儲(chǔ)器件的溝道，在源極與漏極之間形成橫向電場(chǎng)，以產(chǎn)生從源極流向漏極的一次電子；經(jīng)過預(yù)設(shè)時(shí)間，一次電子撞擊漏極并產(chǎn)生空穴；在漏極及襯底上施加電壓，空穴在電場(chǎng)的作用下向下做加速度運(yùn)動(dòng)并撞擊襯底，產(chǎn)生二次電子；在柵極及襯底上施加電壓，形成垂直電場(chǎng)，二次電子在垂直電場(chǎng)的作用下形成三次電子并注入電荷捕獲型存儲(chǔ)器件的絕緣存儲(chǔ)介質(zhì)層，完成編程操作。本發(fā)明在編程過程中，利用橫向電場(chǎng)及垂直電場(chǎng)形成三次電子，可有效提高電荷捕獲型存儲(chǔ)器件的讀寫電流，減小功耗，提高器件可靠性；結(jié)合電荷捕獲型存儲(chǔ)器件的低成本優(yōu)點(diǎn)，具有廣闊的市場(chǎng)前景。?? |
