電荷捕獲型快閃存儲器的編程方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202011131877.6 申請日 -
公開（公告）號 CN112349328B 公開（公告）日 2021-08-17
申請公布號 CN112349328B 申請公布日 2021-08-17
分類號 G11C16/04;G11C16/10 分類 信息存儲;
發(fā)明人 聶虹;陳精緯 申請（專利權(quán)）人 中天弘宇集成電路有限責(zé)任公司
代理機(jī)構(gòu) 上海光華專利事務(wù)所（普通合伙） 代理人 施婷婷
地址 201203 上海市浦東新區(qū)中國（上海）自由貿(mào)易試驗區(qū)盛夏路61弄張潤大廈1號2層201、202室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種電荷捕獲型快閃存儲器的編程方法，包括：開啟電荷捕獲型存儲器件的溝道，在源極與漏極之間形成橫向電場，以產(chǎn)生從源極流向漏極的一次電子；經(jīng)過預(yù)設(shè)時間，一次電子撞擊漏極并產(chǎn)生空穴；在漏極及襯底上施加電壓，空穴在電場的作用下向下做加速度運動并撞擊襯底，產(chǎn)生二次電子；在柵極及襯底上施加電壓，形成垂直電場，二次電子在垂直電場的作用下形成三次電子并注入電荷捕獲型存儲器件的絕緣存儲介質(zhì)層，完成編程操作。本發(fā)明在編程過程中，利用橫向電場及垂直電場形成三次電子，可有效提高電荷捕獲型存儲器件的讀寫電流，減小功耗，提高器件可靠性；結(jié)合電荷捕獲型存儲器件的低成本優(yōu)點，具有廣闊的市場前景。