超高精密硅基通孔圖形結(jié)構(gòu)的制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201410342883.4 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN105261588A 公開（公告）日 2016-01-20
申請(qǐng)公布號(hào) CN105261588A 申請(qǐng)公布日 2016-01-20
分類號(hào) H01L21/768 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 包文中 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 杭州瑞萊博科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 南京利豐知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（特殊普通合伙） 代理人 王鋒
地址 313000 浙江省湖州市德清縣雷甸鎮(zhèn)白云南路866號(hào)9號(hào)樓D101室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種超高精密硅基通孔圖形結(jié)構(gòu)的制備方法，包括：在硅基板上制作無機(jī)掩模層；在該無機(jī)掩模層上涂布光刻膠，并刻蝕形成光刻膠圖形結(jié)構(gòu)；以光刻膠圖形結(jié)構(gòu)為掩模對(duì)該無機(jī)掩模層進(jìn)行刻蝕；以刻蝕后的無機(jī)掩模層作為掩模，利用干法刻蝕工藝刻蝕硅基板，在硅基板上形成通孔圖形結(jié)構(gòu)，并且在該干法刻蝕工藝中，對(duì)于口徑在2μm以下的開口部，在常溫下該無機(jī)掩模層的硅刻蝕選擇比在1：1000以上，而且在對(duì)該硅基板上與通孔圖形結(jié)構(gòu)中口徑最小處相應(yīng)區(qū)域的刻蝕深度達(dá)到設(shè)定深度之前，該無機(jī)掩模層未被完全刻蝕除去。本發(fā)明制備方法工藝簡(jiǎn)單，成本低廉，能實(shí)現(xiàn)具有高精度亞微米硅基通孔圖形的高效、快捷的規(guī)?；苽?，從而充分滿足實(shí)際應(yīng)用的需求。