超高精密硅基通孔圖形結(jié)構(gòu)的制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201410342883.4 申請日 -
公開(公告)號 CN105261588B 公開(公告)日 2017-06-23
申請公布號 CN105261588B 申請公布日 2017-06-23
分類號 H01L21/768 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 包文中 申請(專利權(quán))人 杭州瑞萊博科技有限公司
代理機構(gòu) 南京利豐知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 代理人 南通威倍量子科技有限公司;杭州賽威斯真空技術(shù)有限公司;杭州瑞萊博科技有限公司
地址 226300 江蘇省南通市通州區(qū)金沙鎮(zhèn)銀河大橋西首
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種超高精密硅基通孔圖形結(jié)構(gòu)的制備方法,包括:在硅基板上制作無機掩模層;在該無機掩模層上涂布光刻膠,并刻蝕形成光刻膠圖形結(jié)構(gòu);以光刻膠圖形結(jié)構(gòu)為掩模對該無機掩模層進行刻蝕;以刻蝕后的無機掩模層作為掩模,利用干法刻蝕工藝刻蝕硅基板,在硅基板上形成通孔圖形結(jié)構(gòu),并且在該干法刻蝕工藝中,對于口徑在2μm以下的開口部,在常溫下該無機掩模層的硅刻蝕選擇比在1:1000以上,而且在對該硅基板上與通孔圖形結(jié)構(gòu)中口徑最小處相應(yīng)區(qū)域的刻蝕深度達到設(shè)定深度之前,該無機掩模層未被完全刻蝕除去。本發(fā)明制備方法工藝簡單,成本低廉,能實現(xiàn)具有高精度亞微米硅基通孔圖形的高效、快捷的規(guī)模化制備,從而充分滿足實際應(yīng)用的需求。