一種GaAs/AIAs/AIAs布拉格反射鏡激光器
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201811570737.1 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN111355125A | 公開(kāi)（公告）日 | 2020-06-30 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN111355125A | 申請(qǐng)公布日 | 2020-06-30 |
| 分類號(hào) | H01S5/125(2006.01)I;H01S5/34(2006.01)I | 分類 | - |
| 發(fā)明人 | 李全杰;劉向英 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 西安智盛銳芯半導(dǎo)體科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 西安嘉思特知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 西安智盛銳芯半導(dǎo)體科技有限公司 |
| 地址 | 710075陜西省西安市高新區(qū)高新路36號(hào)A1號(hào)樓二層A19室 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明涉及一種GaAs/AIAs/AIAs布拉格反射鏡激光器，其結(jié)構(gòu)自下而上依次包括：襯底層；第一分布式布拉格反射鏡層；n型Ge半導(dǎo)體層；n型Ge摻雜層；量子阱發(fā)光層；電子阻擋層；p型Ge摻雜層；p型Ge半導(dǎo)體層；第二分布式布拉格反射鏡層；本發(fā)明的激光器采用GaAs/AIAs超晶格材料作為高折射率材料層、采用AIAs材料作為低折射率材料層，形成的分布式布拉格反射鏡，代替?zhèn)鹘y(tǒng)的FB諧振腔，使得加工簡(jiǎn)單、激光的單色性更好，而且可以降低工藝難度，也不容易脫落；且通過(guò)在量子阱發(fā)光層依次層疊第一電子阻擋層和第二電子阻擋層能夠有效阻止多于的電子從量子阱發(fā)光層躍遷至p型Ge半導(dǎo)體層，改善激光器的發(fā)光效率。?? |
