一種吸氣劑圖形化的掩膜方式

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202011498950.3 申請日 -
公開（公告）號 CN112614779A 公開（公告）日 2021-04-06
申請公布號 CN112614779A 申請公布日 2021-04-06
分類號 H01L21/308(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 于莎莎 申請（專利權）人 蘇州厚樸傳感科技有限公司
代理機構 蘇州國卓知識產(chǎn)權代理有限公司 代理人 劉靜宇
地址 215000江蘇省蘇州市蘇州工業(yè)園區(qū)婁陽路6號中新科技工業(yè)坊三期2-1-B、2-2-B
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種吸氣劑圖形化的掩膜方式，所述該方式包括如下具體步驟：步驟一、材料準備；步驟二、取帶吸氣劑圖形的掩膜片；步驟三、在掩膜片表面放置8英寸的硅片，放置硅片時，將硅片表面的凸起嵌入掩膜片表面的凹槽內(nèi)，使硅片表面凸起與掩膜片表面凹槽對應，利用掩膜片表面凹槽，不僅可以限制掩膜片與硅片的相對位置關系，而且能使掩膜片與硅片更加貼合；步驟四、平鋪放置薄膜保護層；步驟五、放置鋁制壓塊；步驟六、在鋁制壓塊表面放置強力磁鐵；步驟七、放置鋁制壓塊蓋板。該掩膜方式，操作簡單，利用掩膜片表面的凹槽，配合鋁制壓塊以及強力磁鐵，不僅可以限制掩膜片與硅片的相對位置關系，而且還能使掩膜片與硅片更加貼合，防止鍍制的吸氣劑衍出。??