一種坩堝罩和坩堝系統(tǒng)

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201110206298.8 申請日 -
公開（公告）號 CN102888651B 公開（公告）日 2015-09-23
申請公布號 CN102888651B 申請公布日 2015-09-23
分類號 C30B28/06(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 黃水霞;曾國偉;王偉亮;龐昭 申請（專利權(quán)）人 浙江昱輝節(jié)能技術(shù)有限公司
代理機構(gòu) 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 浙江昱輝陽光能源有限公司
地址 314117 浙江省嘉興市嘉善縣姚莊鎮(zhèn)工業(yè)園區(qū)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明實施例公開了一種坩堝罩包括周向封閉的罩壁和設(shè)置在所述罩壁的中部的定位凸起。當(dāng)使用生產(chǎn)多晶硅時，將上述坩堝罩設(shè)置在石英坩堝上，從而增加了坩堝的高度，因此可以增加了坩堝的投料量。另外，上述坩堝罩和坩堝為分離式設(shè)計，坩堝罩的材質(zhì)選用氮化硅，而氮化硅是一種重要的結(jié)構(gòu)陶瓷材料，本身具有潤滑性，并且耐磨損，抗腐蝕能力強，高溫時抗氧化。而且它還能抵抗冷熱沖擊，在空氣中加熱到1000℃以上，急劇冷卻再急劇加熱，也不會碎裂。氮化硅陶瓷還具有抗金屬熔融性，并且在保護氣氛中能耐1800℃高溫，可實現(xiàn)重復(fù)利用。本發(fā)明實施例還公開了一種具有坩堝罩的坩堝系統(tǒng)。