多晶硅錠及其制造方法、太陽能電池

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201210017945.5 申請日 -
公開（公告）號 CN102797035B 公開（公告）日 2016-02-10
申請公布號 CN102797035B 申請公布日 2016-02-10
分類號 C30B28/06(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I;H01L31/028(2006.01)I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 鄭志東;翟蕊;石鄖熙;李娟;劉文濤;彭春球 申請（專利權(quán)）人 浙江昱輝節(jié)能技術(shù)有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 逯長明
地址 314117 浙江省嘉興市嘉善縣姚莊鎮(zhèn)工業(yè)園區(qū)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種多晶硅錠的制造方法，包括：在多晶硅錠生長爐內(nèi)的容器底部鋪設(shè)籽晶，形成籽晶層，籽晶層的鋪設(shè)方式為：由一整塊與容器底部大小和形狀基本相同的大塊單晶籽晶鋪設(shè)而成，或由多個小塊單晶籽晶拼接而成，或由從所述多晶硅錠主體中切割下的塊狀板坯鋪設(shè)形成；將固態(tài)的硅原料裝載到籽晶層的上方；對所述容器進(jìn)行加熱，熔化硅原料和部分籽晶層，形成液體層，至少保持與容器底部接觸的部分籽晶層為固態(tài)；控制多晶硅錠生長爐內(nèi)的熱場，對液體層進(jìn)行結(jié)晶形成結(jié)晶層，以使固液界面向遠(yuǎn)離所述容器底部的方向移動，完成多晶硅錠的生長。采用本發(fā)明的方法生產(chǎn)出的多晶硅錠雜質(zhì)含量低，生產(chǎn)出的太陽能電池成本低、衰減系數(shù)低，光電轉(zhuǎn)換效率高。