一種單晶爐漏硅后快速引流裝置

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202023348164.3 申請日 -
公開（公告）號 CN214088735U 公開（公告）日 2021-08-31
申請公布號 CN214088735U 申請公布日 2021-08-31
分類號 C30B15/00（2006.01）I;C30B29/06（2006.01）I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 馬騰飛;汪奇;龍昭欽;宋麗平 申請（專利權(quán)）人 四川晶科能源有限公司
代理機構(gòu) 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 劉曉菲
地址 614802四川省樂山市五通橋區(qū)橋溝鎮(zhèn)十字街10號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型公開一種單晶爐漏硅后快速引流裝置，包括豎直通道、溢流槽和上蓋，豎直通道的頂端與單晶爐爐底連通，豎直通道的底端與溢流槽連通，上蓋安裝于溢流槽上端面，且溢流槽內(nèi)為真空腔。本申請公開的單晶爐漏硅后快速引流裝置，在單晶爐爐底外圍安裝溢流槽，排氣管道接豎直通道，豎直通道下面接溢流槽，溢流槽與整個爐體連接，當發(fā)生漏硅現(xiàn)象時，豎直通道將硅溶液引流至溢流槽，使硅熔液快速流入溢流槽內(nèi)，不與通有冷卻水的不銹鋼接觸，保證了硅熔液不融穿不銹鋼爐底，避免冷卻水泄漏瞬間汽化導(dǎo)致的鍋爐內(nèi)部壓力迅速增加出現(xiàn)鍋爐爆炸的情況，且可從上蓋處打開溢流槽，取出里面凝固的硅溶液，再繼續(xù)安裝使用。