一種靜態(tài)生長單晶金剛石的制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110322264.9 申請日 -
公開（公告）號 CN113249787A 公開（公告）日 2021-08-13
申請公布號 CN113249787A 申請公布日 2021-08-13
分類號 C30B29/04;C30B25/00 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 呂繼磊 申請（專利權(quán)）人 湖北碳六科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 宜昌市慧宜專利商標(biāo)代理事務(wù)所（特殊普通合伙） 代理人 彭婭
地址 443208 湖北省宜昌市五峰民族工業(yè)園（枝江市白洋鎮(zhèn)）
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及金剛石基底制備技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種靜態(tài)生長單晶金剛石的制備方法，將籽晶放置入腔體中，在腔體首先通入氫氣充滿腔體，產(chǎn)生等離子體；通入含碳?xì)庠催M(jìn)行金剛石的生長，金剛石生長過程中間斷的通入含碳?xì)庠醋鳛檠a(bǔ)充，保證腔體維持一定的壓力，籽晶生長，完成制備。本發(fā)明采用氫氣整體充滿腔體，即氫氣作為金剛石反應(yīng)的催化劑，在腔體內(nèi)是一定的，甲烷是補(bǔ)充的，甲烷的利用率達(dá)到100%。節(jié)約成本，合成質(zhì)量大大提高，以往動態(tài)過程中會混入氣體雜質(zhì)，導(dǎo)致純度不夠，現(xiàn)在可以完全避免氣體雜質(zhì)的引入。