一種提高M(jìn)PCVD制備單晶金剛石穩(wěn)定性的方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201810163115.0 申請日 -
公開（公告）號 CN108360064B 公開（公告）日 2020-12-29
申請公布號 CN108360064B 申請公布日 2020-12-29
分類號 C30B29/04;C30B25/20;C30B30/00 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 武迪;陳貞君;鄭大平;朱瑞;肖景陽 申請（專利權(quán)）人 湖北碳六科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京金智普華知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 楊采良
地址 443400湖北省宜昌市五峰民族工業(yè)園（枝江市白洋鎮(zhèn)）
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種提高M(jìn)PCVD制備單晶金剛石穩(wěn)定性的方法，其特征在于利用液態(tài)金屬的流動性和高熱導(dǎo)率的特性提高單晶金剛石籽晶溫度散熱穩(wěn)定性，從而提高單晶金剛石生產(chǎn)穩(wěn)定性。具體實(shí)施方案為：在耐高溫金屬樣品臺上放置單晶金剛石籽晶的位置開一個(gè)略小于單晶金剛石長寬尺寸的小槽，滴入適量的液態(tài)金屬直至鋪滿小槽，將單晶金剛石籽晶放置在小槽上蓋住液態(tài)金屬，確保單晶金剛石籽晶與液態(tài)金屬接觸面積至少大于單晶金剛石籽晶的1/2。