激光增強等離子體CVD制備單晶金剛石裝置及其方法
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN201810159834.5 | 申請日 | - |
| 公開（公告）號 | CN108251892B | 公開（公告）日 | 2021-03-23 |
| 申請公布號 | CN108251892B | 申請公布日 | 2021-03-23 |
| 分類號 | C30B29/04(2006.01)I;C23C16/27(2006.01)I;C30B25/00(2006.01)I;C23C16/48(2006.01)I | 分類 | 晶體生長〔3〕; |
| 發(fā)明人 | 武迪;陳貞君;鄭大平;朱瑞;肖景陽 | 申請（專利權(quán)）人 | 湖北碳六科技有限公司 |
| 代理機構(gòu) | 北京金智普華知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 楊采良 |
| 地址 | 443400湖北省宜昌市五峰民族工業(yè)園（枝江市白洋鎮(zhèn)） | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開了一種激光增強等離子體CVD制備單晶金剛石裝置及其方法，所述裝置包括等離子體CVD設(shè)備和激光設(shè)備；所述激光設(shè)備多于1個，分別位于所述等離子體CVD設(shè)備圓柱腔體外側(cè)，所述激光設(shè)備發(fā)射的激光能夠照射到位于等離子體CVD設(shè)備腔體中的基片臺；所述基片臺位于等離子體CVD設(shè)備腔體的中部，基片臺下部設(shè)有冷卻水循環(huán)系統(tǒng)，包括冷卻水入口和冷卻水出口；所述等離子體CVD設(shè)備腔體底部設(shè)有原料進氣口和抽氣口。所述方法結(jié)合微波能(或電能)和激光兩種能量，利用低成本的高能量激光提高金剛石合成過程中等離子體的能量和氣體離解速率，從而提高金剛石的合成速率，該方法有效解決了金剛石高速批量制備的難題。?? |
