一種拉晶爐P-N型轉換過程中雜質元素的控制系統(tǒng)及方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202210079672.0 申請日 -
公開（公告）號 CN114574964A 公開（公告）日 2022-06-03
申請公布號 CN114574964A 申請公布日 2022-06-03
分類號 C30B29/06;C30B15/00;C30B15/20 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 王忠保;馬成;芮陽 申請（專利權）人 寧夏中欣晶圓半導體科技有限公司
代理機構 杭州融方專利代理事務所（普通合伙） 代理人 沈相權
地址 311201 浙江省杭州市錢塘新區(qū)東墾路888號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種拉晶爐P?N型轉換過程中雜質元素的控制系統(tǒng)及方法，本發(fā)明涉及單晶硅制備技術領域。該拉晶爐P?N型轉換過程中雜質元素的控制系統(tǒng)及方法，通過除雜質組件的設置，當充氣腔與液面保持齊平停止后，當連桿通過滑塊以及滑槽的配合向下移動的同時、將對應的復位彈簧進行拉伸，當通過驅動氣缸的運行，帶動其端部固定安裝的拉晶硅棒向上拉動的同時，液面會隨著晶體的生長進行下降，同時若干個與液面接觸的吸附棒會通過液面的下降以及復位彈簧的配合進行緩慢下降的同時、緩慢與液面進行分離，直至液面的雜質吸附至吸附棒的端部向下堆積，保證了雜質的吸附效果，提升了晶體的生長質量。