穩(wěn)定300mm單晶硅片摻砷元素拉晶溫度的單晶爐

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202123383164.1 申請日 -
公開(公告)號 CN216639712U 公開(公告)日 2022-05-31
申請公布號 CN216639712U 申請公布日 2022-05-31
分類號 C30B29/06(2006.01)I;C30B15/20(2006.01)I;C30B15/00(2006.01)I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 張興茂;徐慶晧;王忠保;伊冉;閆龍;李小紅 申請(專利權)人 寧夏中欣晶圓半導體科技有限公司
代理機構 寧夏三源鑫知識產權代理事務所(普通合伙) 代理人 -
地址 750000寧夏回族自治區(qū)銀川市經濟技術開發(fā)區(qū)光明西路28號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種穩(wěn)定300mm單晶硅片摻砷元素拉晶溫度的單晶爐,包括主爐體、測溫組件,所述主爐體的側壁由內至外依次包括主保溫層、中保溫層和爐壁外層,在中保溫層和爐壁外層上設有測溫孔,所述測溫孔沿主爐體的徑向延伸,所述測溫孔的一端貫通爐壁外層,所述測溫孔的另一端不貫通主保溫層,所述測溫組件包括圓形測溫玻璃、阻隔件,所述圓形測溫玻璃蓋合在測溫孔位于爐壁外層一端的端面,所述阻隔件設有貫通的連接孔,所述阻隔件夾裝在中保溫層和爐壁外層之間的中空層中,所述阻隔件的連接孔與測溫孔同軸,在中空層中安裝阻隔件,阻隔件的設置能阻止中空層中的氣體進入測溫孔,避免測溫玻璃被熏黑,解決了300mm單晶硅片摻砷拉晶工藝不穩(wěn)的問題。