一種摻雜鐘罩系統(tǒng)及其改變摻雜氣體分子路徑方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202210078575.X 申請日 -
公開（公告）號 CN114574945A 公開（公告）日 2022-06-03
申請公布號 CN114574945A 申請公布日 2022-06-03
分類號 C30B15/04;C30B29/06 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 蔡瑞;劉進;虎永慧 申請（專利權(quán)）人 寧夏中欣晶圓半導體科技有限公司
代理機構(gòu) 杭州融方專利代理事務所（普通合伙） 代理人 沈相權(quán)
地址 311201 浙江省杭州市錢塘新區(qū)東墾路888號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種摻雜鐘罩系統(tǒng)及其改變摻雜氣體分子路徑方法，包括主爐室，所述主爐室的頂部固定有隔離閥，所述隔離閥的頂部固定有副爐室，所述主爐室內(nèi)壁的底部通過支桿固定有石英坩堝，所述副爐室內(nèi)壁的左側(cè)滑動連接有滑板，所述滑板的右側(cè)固定有石英鐘罩，所述石英鐘罩的內(nèi)部設(shè)置有石英杯，所述石英杯的頂部固定有掛環(huán)，本發(fā)明涉及直拉法生產(chǎn)單晶硅設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域。該摻雜鐘罩系統(tǒng)及其改變摻雜氣體分子路徑方法，通過驅(qū)動密封機構(gòu)的設(shè)置，便于加強石英鐘罩與上連接罩之間的密封性，使得氣體摻雜劑不會從石英鐘罩與上連接罩接觸處泄漏，進而使得氣體摻雜劑能順利進入至石英坩堝中，進一步提高氣體摻雜劑的利用率。