直拉硅單晶的摻雜裝置及方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110829948.8 申請日 -
公開（公告）號 CN113549994B 公開（公告）日 2022-07-01
申請公布號 CN113549994B 申請公布日 2022-07-01
分類號 C30B15/04（2006.01）I;C30B15/20（2006.01）I;C30B29/06（2006.01）I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 劉進(jìn);王忠保;李巨曉;芮陽;魏興彤;馬小龍;虎永慧 申請（專利權(quán)）人 寧夏中欣晶圓半導(dǎo)體科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 寧夏三源鑫知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 -
地址 750000寧夏回族自治區(qū)銀川市經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)光明西路28號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種用于直拉硅單晶的摻雜裝置及方法，屬于直拉法生產(chǎn)單晶硅設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域，包括石英內(nèi)膽、石英鐘罩和石英杯，在石英鐘罩內(nèi)設(shè)置石英內(nèi)膽，石英杯內(nèi)置于石英內(nèi)膽，在內(nèi)膽本體的上端從上而下依次蓋合有第一石英蓋、第二石英蓋，第一石英蓋與第二石英蓋之間形成排氣腔，第二石英蓋上設(shè)置有第一通氣孔，第一通氣孔上垂直安裝有調(diào)壓管，排氣片蓋合在第一通氣孔上，在內(nèi)膽本體的環(huán)壁上設(shè)有第二通氣孔，第二通氣孔位于所述第一石英蓋與第二石英蓋之間，在摻雜過程中，通過排氣片、調(diào)壓管及通氣孔可調(diào)節(jié)石英內(nèi)膽內(nèi)的壓力，避免冒泡現(xiàn)象的產(chǎn)生，減少摻雜劑的揮發(fā)，使得氣化摻雜劑充分融入硅熔液中進(jìn)行摻雜，提高摻雜率，減少爐內(nèi)污染。