一種負顯影光刻工藝的全芯片快速仿真方法、負顯影光刻膠模型、OPC模型及電子設備

基本信息

申請?zhí)?/td> 202011153654X 申請日 -
公開（公告）號 CN112257270A 公開（公告）日 2021-01-22
申請公布號 CN112257270A 申請公布日 2021-01-22
分類號 G06F30/20(2020.01)I; 分類 計算；推算；計數;
發(fā)明人 高世嘉;謝理 申請（專利權）人 東方晶源微電子科技（北京）有限公司深圳分公司
代理機構 深圳市智享知識產權代理有限公司 代理人 羅芬梅
地址 518000廣東省深圳市福田區(qū)福保街道福田保稅區(qū)英達利科技數碼園C座301F室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 發(fā)明涉及集成電路光刻技術領域，尤其涉及一種負顯影光刻工藝的全芯片快速仿真方法、負顯影光刻膠模型、OPC模型及電子設備。一種負顯影光刻工藝的全芯片快速仿真方法，基于彈性力學對光刻膠的形變進行分析，設定應力、應變之一者作為光刻膠形變量的等效以獲得等效方程，選用泰勒展開式對所述等效方程進行近似計算以獲得應力或者應變的近似值，根據所述近似值對光場分布進行調整以獲得合適的酸濃度分布，使得曝光圖形和目標圖形最接近，能很好的對熱收縮效應過程中光刻膠的形變進行分析，提高光刻計算過程中的準確性，同時，采用泰勒展開式對熱收縮效應進行擬合，提高計算速度，因此，解決了全芯片負向顯影光刻工藝計算復雜的問題。??