一種負顯影光刻工藝的仿真方法、負顯影光刻膠模型、OPC模型及電子設備

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202011306691.X 申請日 -
公開（公告）號 CN112363372A 公開（公告）日 2021-02-12
申請公布號 CN112363372A 申請公布日 2021-02-12
分類號 G03F7/20(2006.01)I; 分類 攝影術；電影術；利用了光波以外其他波的類似技術；電記錄術；全息攝影術〔4〕;
發(fā)明人 謝理;高世嘉 申請（專利權）人 東方晶源微電子科技（北京）有限公司深圳分公司
代理機構 深圳市智享知識產(chǎn)權代理有限公司 代理人 羅芬梅
地址 518000廣東省深圳市福田區(qū)福保街道福田保稅區(qū)英達利科技數(shù)碼園C座301F室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 發(fā)明涉及集成電路光刻技術領域，尤其涉及一種負顯影光刻工藝的仿真方法、負顯影光刻膠模型、OPC模型及電子設備，包括步驟：S1、將光刻膠區(qū)域進行有限元劃分以獲得多個晶格單元；S2、基于彈性力學對一晶格單元進行應力分析，生成單元剛度矩陣，獲得整體剛度矩陣；S3、獲得關于一晶格單元的等效節(jié)點力，獲得整體節(jié)點力矩陣；S4、對整體剛度矩陣以及整體節(jié)點力矩陣進行求解，求出關于光刻膠區(qū)域的整體節(jié)點位移；及S5、將整體節(jié)點位移轉化為光場強度，利用有限元分析方法對選定的光刻膠區(qū)域進行分析，同時將光場對光刻膠的作用等效為作用力的形式，能很好的對熱收縮效應過程中光刻膠的形變進行分析，提高光刻計算過程中的準確性。??