一種雙重圖形掩模優(yōu)化結(jié)果的跨接缺陷檢測方法及電子設(shè)備
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN202011241787.2 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN112348797A | 公開(公告)日 | 2021-02-09 |
申請公布號 | CN112348797A | 申請公布日 | 2021-02-09 |
分類號 | G06T7/00(2017.01)I;G06T7/32(2017.01)I | 分類 | 計(jì)算;推算;計(jì)數(shù); |
發(fā)明人 | 吳士俠;方偉;丁明;施偉杰 | 申請(專利權(quán))人 | 東方晶源微電子科技(北京)有限公司深圳分公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 深圳市智享知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 羅芬梅 |
地址 | 518000廣東省深圳市福田區(qū)福保街道福田保稅區(qū)英達(dá)利科技數(shù)碼園C座301F室 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明涉及集成電路制造技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及雙重圖形掩模優(yōu)化結(jié)果的跨接缺陷檢測方法及電子設(shè)備,包括步驟:S1、提供掩模版圖,掩模版圖包括第一層掩模圖形和第二層掩模圖形;S2、獲得第一層線段和第二層線段,在所述第一層線段上放置檢測點(diǎn);S3、設(shè)定配對規(guī)則,根據(jù)形成邊型配對以及角型配對;及S4、設(shè)定第一搜索范圍和第二搜索范圍,搜索第一曝光圖形和/或第二曝光圖形,基于搜索結(jié)果計(jì)算跨接距離,根據(jù)不同的配對類型設(shè)置曝光圖形的搜索范圍,使得計(jì)算獲得的跨接距離能準(zhǔn)確的表征第一層掩模圖形和第二層掩模圖形的跨接缺陷,以更好的提高光刻制造的良率。?? |
