一種雙向NPN穿通型超低壓TVS結(jié)構(gòu)

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201721513791.3 申請日 -
公開（公告）號 CN207381399U 公開（公告）日 2018-05-18
申請公布號 CN207381399U 申請公布日 2018-05-18
分類號 H01L27/02;H01L27/08;H01L21/8222 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 薛維平 申請（專利權(quán)）人 上海芯石半導(dǎo)體股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 201203 上海市浦東新區(qū)中國(上海)自由貿(mào)易試驗(yàn)區(qū)祖沖之路1077號2幢1152-B室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 隨著半導(dǎo)體IC制造工藝最小線寬的不斷降低，半導(dǎo)體IC的工作電壓也變得越來越低，工作電壓從最初的5V降低到3.3V，再從3.3V降低到2.5V，這就需要作為過壓保護(hù)的TVS擊穿電壓也要相應(yīng)的降低，以便更好地保護(hù)半導(dǎo)體IC，當(dāng)二極管TVS擊穿電壓低于5V后，齊納擊穿的隧道效應(yīng)會導(dǎo)致?lián)舸┣€軟化，漏電增大至1E?5A的水平，漏電增大會導(dǎo)致功耗增大，發(fā)熱量增大等等一系列問題，此實(shí)用新型的雙向NPN穿通型TVS既能做到擊穿電壓低于5V，同時(shí)又能保證優(yōu)秀的擊穿曲線，且漏電低至1E?9A的水平。