一種單向NPN穿通型超低壓TVS結(jié)構(gòu)及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201810473559.4 申請日 -
公開（公告）號 CN108899312A 公開（公告）日 2018-11-27
申請公布號 CN108899312A 申請公布日 2018-11-27
分類號 H01L27/02;H01L21/822 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 薛維平;關(guān)世瑛;王金秋 申請（專利權(quán)）人 上海芯石半導(dǎo)體股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 201203 上海市浦東新區(qū)中國(上海)自由貿(mào)易試驗(yàn)區(qū)祖沖之路1077號2幢1152-B室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 此發(fā)明為一種單向NPN穿通型超低壓TVS結(jié)構(gòu)及其制備方法，此TVS適用于保護(hù)超低驅(qū)動電壓的半導(dǎo)體IC，隨著半導(dǎo)體IC制造工藝最小線寬的不斷縮小，半導(dǎo)體IC的驅(qū)動電壓也變得越來越低，驅(qū)動電壓從12V降低到5V，再到3.3V、2.5V，這就需要作為過壓保護(hù)的TVS擊穿電壓也要相應(yīng)降低，以便更好地保護(hù)半導(dǎo)體IC，當(dāng)普通二極管TVS擊穿電壓低于5V后，齊納擊穿逐步代替雪崩擊穿成為主要擊穿形式，齊納擊穿的隧道效應(yīng)導(dǎo)致漏電增大至1E?5A水平，此時的二極管已經(jīng)不能勝任IC過壓保護(hù)工作，此發(fā)明的單向NPN穿通型TVS利用NPN晶體管的基區(qū)穿通特性，通過控制NPN晶體管基區(qū)的濃度及厚度，既能做到擊穿電壓低于5V，同時又能保證漏電低至1E?9A水平，完全勝任超低壓IC的過壓保護(hù)工作。