一種高靈敏度霍爾傳感器及其制造方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202010865346.3 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN112038485A 公開(kāi)（公告）日 2020-12-04
申請(qǐng)公布號(hào) CN112038485A 申請(qǐng)公布日 2020-12-04
分類號(hào) H01L43/06;H01L43/04;H01L43/14;G01D5/14 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 顧南雁;胡慧雄;李龍;趙成政;鄭哲 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 東莞市金譽(yù)半導(dǎo)體有限公司
代理機(jī)構(gòu) 深圳峰誠(chéng)志合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 東莞市金譽(yù)半導(dǎo)體有限公司
地址 523000 廣東省東莞市石排鎮(zhèn)廟邊王村興龍七路與東園大道交匯處
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明屬于霍爾傳感器技術(shù)領(lǐng)域，涉及一種高靈敏度霍爾傳感器及其制造方法，該霍爾傳感器包括襯底、有源層、隔離層和四個(gè)電極層；有源層設(shè)置于襯底上，隔離層和四個(gè)電極層均設(shè)置于有源層上，且所有電極層分散設(shè)置于隔離層的外圍；隔離層包括層疊設(shè)置的第一層和第二層，第一層設(shè)置于有源層和第二層之間；第一層摻雜有第一離子，第二層摻雜有第二離子，且第一離子的注入能量大于第二離子的注入能量，第一離子的注入劑量小于第二離子的注入劑量。該高靈敏度霍爾傳感器及其制造方法提供的技術(shù)方案能夠保證霍爾傳感器的等效內(nèi)阻不會(huì)增大，以提升該霍爾傳感器的靈敏度。總之，該霍爾傳感器具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、穩(wěn)定性高、靈敏度高的特點(diǎn)。