MTJ器件的制作方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201611075608.6 申請日 -
公開（公告）號 CN108123029B 公開（公告）日 2021-08-27
申請公布號 CN108123029B 申請公布日 2021-08-27
分類號 H01L43/12;H01L43/08 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 喻濤;左正笏;陳志剛;谷勛;劉瑞盛 申請（專利權(quán)）人 浙江?？蛋苍喘h(huán)?？萍加邢薰?/a>
代理機構(gòu) 北京康信知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 代理人 趙囡囡;吳貴明
地址 311121 浙江省杭州市余杭區(qū)文一西路1500號1幢311
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請?zhí)峁┝艘环NMTJ器件的制作方法。該制作方法包括：步驟S1，在襯底表面上設(shè)置功能膜，形成預(yù)成品，功能膜包括MTJ膜；步驟S2，在功能膜的遠離襯底的表面上設(shè)置離子注入掩膜材料，并對離子注入掩膜材料進行圖形化處理得到離子注入掩膜；步驟S3，對設(shè)置有離子注入掩膜的預(yù)成品依次進行氧離子注入與退火，在離子注入掩膜之外的區(qū)域形成氧離子注入膜；步驟S4，去除氧離子注入膜，形成凹陷；步驟S5，在凹陷內(nèi)設(shè)置介電材料，且使介電材料和離子注入掩膜的遠離襯底的表面在同一平面，其中，介電材料的介電常數(shù)在1.4～7.0之間。該制作方法制作得到的MTJ器件的介電常數(shù)較小，使得MRAM芯片的運算速度較快。