存儲(chǔ)單元與存儲(chǔ)器

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201710088549.4 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN108461101B 公開(kāi)（公告）日 2021-08-27
申請(qǐng)公布號(hào) CN108461101B 申請(qǐng)公布日 2021-08-27
分類號(hào) G11C11/16（2006.01）I 分類 信息存儲(chǔ);
發(fā)明人 楊成成;李輝輝;孟皓;陸宇;劉波 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 浙江海康安源環(huán)?？萍加邢薰?/a>
代理機(jī)構(gòu) 北京康信知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 代理人 趙囡囡;吳貴明
地址 311121浙江省杭州市余杭區(qū)文一西路1500號(hào)1幢311
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N存儲(chǔ)單元與存儲(chǔ)器。該存儲(chǔ)單元包括MTJ模塊，MTJ模塊包括第一MTJ、第二MTJ以及設(shè)置在第一MTJ與第二MTJ間的壓電層，第一MTJ包括由下至上依次設(shè)置的第一參考層、第一隔離層與第一自由層；第二MTJ設(shè)置在壓電層的遠(yuǎn)離第一MTJ的表面上，第二MTJ包括由下至上依次設(shè)置的第二自由層、第二隔離層與第二參考層，且第一參考層與第二參考層的磁化方向相同，第一參考層的磁化方向與第一自由層的磁化方向的位置關(guān)系為第一位置關(guān)系，第二參考層的磁化方向與第二自由層的磁化方向的位置關(guān)系為第二位置關(guān)系，當(dāng)?shù)谝晃恢藐P(guān)系與第二位置關(guān)系相同時(shí)，第一MTJ與第二MTJ的電阻值不相等。該存儲(chǔ)單元的存儲(chǔ)密度高。