MTJ單元及STT-MRAM
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201710115591.0 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN108511602A | 公開(kāi)（公告）日 | 2021-07-13 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN108511602A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-07-13 |
| 分類號(hào) | H01L43/08;H01L27/22;G11C11/16 | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 簡(jiǎn)紅;蔣信 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 浙江?？蛋苍喘h(huán)?？萍加邢薰?/a> |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京康信知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 | 代理人 | 趙囡囡;吳貴明 |
| 地址 | 311121 浙江省杭州市余杭區(qū)文一西路1500號(hào)1幢311室 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环NMTJ單元及STT?MRAM。該MTJ單元包括參考層、雙勢(shì)壘結(jié)構(gòu)與自由層，參考層的材料包括鐵磁材料和非磁金屬材料；雙勢(shì)壘結(jié)構(gòu)設(shè)置在參考層的表面上，且雙勢(shì)壘結(jié)構(gòu)包括第一絕緣層、量子阱層和第二絕緣層，第一絕緣層的材料的禁帶寬度為η1，量子阱層的材料的禁帶寬度為η2，第二絕緣層的材料的禁帶寬度為η3，η2＜η1，η2＜η3，當(dāng)雙勢(shì)壘結(jié)構(gòu)兩端的電壓達(dá)到預(yù)定值時(shí)，入射雙勢(shì)壘結(jié)構(gòu)的電子與量子阱層中的量子阱態(tài)能級(jí)發(fā)生共振，入射電子通過(guò)共振隧穿通過(guò)雙勢(shì)壘結(jié)構(gòu)；自由層設(shè)置在第二絕緣層的遠(yuǎn)離量子阱層的表面上，自由層的材料包括鐵磁材料和非磁金屬材料。該MTJ應(yīng)用在存儲(chǔ)器中，使得其寫(xiě)入效率較高。 |
