MRAM存儲(chǔ)器單元、陣列及存儲(chǔ)器

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201810687747.7 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN110660435B 公開（公告）日 2021-09-21
申請(qǐng)公布號(hào) CN110660435B 申請(qǐng)公布日 2021-09-21
分類號(hào) G11C16/06（2006.01）I;G11C16/08（2006.01）I;G11C16/24（2006.01）I 分類 信息存儲(chǔ);
發(fā)明人 何世坤;竹敏;韓谷昌 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 浙江海康安源環(huán)?？萍加邢薰?/a>
代理機(jī)構(gòu) 北京蘭亭信通知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 趙永剛
地址 311121 浙江省杭州市余杭區(qū)文一西路1500號(hào)1幢311
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種MRAM存儲(chǔ)器單元、陣列及存儲(chǔ)器，存儲(chǔ)器單元包括：兩個(gè)垂直堆疊的磁隧道結(jié)、選擇器元件以及晶體管，其中，兩個(gè)所述磁隧道結(jié)之間布置有隔離層，每個(gè)所述磁隧道結(jié)的參考層靠近所述隔離層布置，每個(gè)所述磁隧道結(jié)的自由層外側(cè)各布置有一條自旋軌道矩提供線，所述選擇器元件的兩端通過(guò)金屬連接層連接至兩條所述自旋軌道矩提供線，所述晶體管的漏極與任意一條所述自旋軌道矩提供線的靠近所述選擇器元件的一端連接；兩條所述自旋軌道矩提供線的靠近所述磁隧道結(jié)的一端各自引出一個(gè)用于連接位線的端點(diǎn)，所述晶體管的柵極引出一個(gè)用于連接字線的端點(diǎn)，所述晶體管的源極引出一個(gè)用于連接源線的端點(diǎn)。本發(fā)明能夠提高存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)密度。