垂直磁化的MTJ器件

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201811008579.0 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN110867511B 公開（公告）日 2021-09-21
申請(qǐng)公布號(hào) CN110867511B 申請(qǐng)公布日 2021-09-21
分類號(hào) H01L43/08（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 何世坤;宮俊錄 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 浙江海康安源環(huán)?？萍加邢薰?/a>
代理機(jī)構(gòu) 北京蘭亭信通知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 趙永剛
地址 311121 浙江省杭州市余杭區(qū)文一西路1500號(hào)1幢311
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種垂直磁化的MTJ器件，包括：依次疊置的熱穩(wěn)定增強(qiáng)層、自由層、隧道層以及固定層，其中，所述自由層的厚度與MTJ器件直徑的比值為0.75～2；所述熱穩(wěn)定增強(qiáng)層具有相變特性，當(dāng)溫度低于相變溫度時(shí)，所述熱穩(wěn)定增強(qiáng)層為反鐵磁相，當(dāng)溫度高于相變溫度時(shí)，所述熱穩(wěn)定增強(qiáng)層為鐵磁相。本發(fā)明能夠降低基于超小直徑MTJ器件的STT?MRAM的寫入電流。