MTJ單元及STT-MRAM

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201710115591.0 申請日 -
公開（公告）號 CN108511602B 公開（公告）日 2021-07-13
申請公布號 CN108511602B 申請公布日 2021-07-13
分類號 H01L43/08;H01L27/22;G11C11/16 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 簡紅;蔣信 申請（專利權(quán)）人 浙江?？蛋苍喘h(huán)保科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京康信知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 代理人 趙囡囡;吳貴明
地址 311121 浙江省杭州市余杭區(qū)文一西路1500號1幢311
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請?zhí)峁┝艘环NMTJ單元及STT?MRAM。該MTJ單元包括參考層、雙勢壘結(jié)構(gòu)與自由層，參考層的材料包括鐵磁材料和非磁金屬材料；雙勢壘結(jié)構(gòu)設(shè)置在參考層的表面上，且雙勢壘結(jié)構(gòu)包括第一絕緣層、量子阱層和第二絕緣層，第一絕緣層的材料的禁帶寬度為η1，量子阱層的材料的禁帶寬度為η2，第二絕緣層的材料的禁帶寬度為η3，η2＜η1，η2＜η3，當(dāng)雙勢壘結(jié)構(gòu)兩端的電壓達(dá)到預(yù)定值時，入射雙勢壘結(jié)構(gòu)的電子與量子阱層中的量子阱態(tài)能級發(fā)生共振，入射電子通過共振隧穿通過雙勢壘結(jié)構(gòu)；自由層設(shè)置在第二絕緣層的遠(yuǎn)離量子阱層的表面上，自由層的材料包括鐵磁材料和非磁金屬材料。該MTJ應(yīng)用在存儲器中，使得其寫入效率較高。