一種強(qiáng)吸電子元素?fù)诫s稀土正硅酸鹽閃爍材料及其制備方法和應(yīng)用
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN202011280944.0 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN112390278B | 公開(公告)日 | 2022-02-08 |
申請公布號 | CN112390278B | 申請公布日 | 2022-02-08 |
分類號 | C01F17/32(2020.01)I;C01F17/10(2020.01)I;C09K11/77(2006.01)I;G01T1/00(2006.01)I;G01T1/161(2006.01)I;G01T3/06(2006.01)I | 分類 | 無機(jī)化學(xué); |
發(fā)明人 | 丁棟舟;趙書文;楊帆;施俊杰;袁晨;王林偉;徐鎔濤;陳露 | 申請(專利權(quán))人 | 上海上硅中試基地科技有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 上海瀚橋?qū)@硎聞?wù)所(普通合伙) | 代理人 | 曹芳玲;鄭優(yōu)麗 |
地址 | 200050上海市長寧區(qū)定西路1295號 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明涉及一種強(qiáng)吸電子元素?fù)诫s稀土正硅酸鹽閃爍材料及其制備方法和應(yīng)用,所述強(qiáng)吸電子元素?fù)诫s稀土正硅酸鹽閃爍材料的化學(xué)式為:RE2(1?x?y+δ/2)Ce2xM2y?δSi(1?δ)MδO5;式中RE為稀土離子,0<x≤0.05;M為強(qiáng)吸電子摻雜元素,0<y≤0.015;且0≤δ≤10?4;所述M選自鎢W、鉛Pb、鉬Mo、碲Te、銻Sb、鉍Bi、汞Hg、銀Ag、鎳Ni、銦In、鋅Zn、鉈Tl、鈮Nb、鈦Ti、鉭Ta、錫Sn、鎘Cd、锝Tc、鋯Zr、錸Re和鎵Ga中至少一種。 |
