一種提高氮化硅陶瓷基板材料熱導(dǎo)率和力學(xué)性能的硅熱還原方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202011043054.8 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN112142476B 公開（公告）日 2021-10-01
申請(qǐng)公布號(hào) CN112142476B 申請(qǐng)公布日 2021-10-01
分類號(hào) C04B35/584;C04B35/622;C04B35/64 分類 水泥；混凝土；人造石；陶瓷；耐火材料〔4〕;
發(fā)明人 曾宇平;王為得;左開慧;夏詠鋒;姚冬旭;尹金偉;梁漢琴 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 上海上硅中試基地科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海瀚橋?qū)＠硎聞?wù)所（普通合伙） 代理人 曹芳玲;鄭優(yōu)麗
地址 200050 上海市長寧區(qū)定西路1295號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種提高氮化硅陶瓷基板材料熱導(dǎo)率和力學(xué)性能的硅熱還原方法，包括：（1）將氮化硅粉、燒結(jié)助劑和硅粉混合，得到混合粉體，所述硅粉為單質(zhì)Si，含量為氮化硅粉質(zhì)量的0.1～5wt%；（2）將所得混合粉體壓制成型，得到氮化硅陶瓷素坯；（3）將所得氮化硅陶瓷素坯置于真空氣氛或氬氣氣氛中、1000～1400℃下進(jìn)行預(yù)燒結(jié)處理，得到氮化硅坯體；（4）將所得預(yù)燒結(jié)處理后的氮化硅坯體于1800～2000℃下進(jìn)行燒結(jié)處理，得到所述氮化硅陶瓷基板材料。