LED器件、顯示裝置及發(fā)光裝置

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202123316714.8 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN216648342U 公開(kāi)（公告）日 2022-05-31
申請(qǐng)公布號(hào) CN216648342U 申請(qǐng)公布日 2022-05-31
分類號(hào) H01L33/40（2010.01）I;H01L33/38（2010.01）I;H01L27/15（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 劉召軍;黃炳銓;張珂 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 深圳市思坦科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京慧加倫知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 -
地址 518000廣東省深圳市龍華區(qū)大浪街道同勝社區(qū)工業(yè)園路1號(hào)1棟凱豪達(dá)大廈十三層1309
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环NLED器件、顯示裝置及發(fā)光裝置。其中，所述LED器件包括LED芯片陣列、鈍化層、鍵合層，所述鈍化層覆蓋所述LED芯片陣列；所述鈍化層上開(kāi)設(shè)有電極接觸孔，所述鍵合層設(shè)置于所述電極接觸孔內(nèi)，所述鍵合層為雙層結(jié)構(gòu)。本申請(qǐng)的LED器件，采用雙層結(jié)構(gòu)鍵合層，有效避免了芯片在激光剝離過(guò)程中因焊料熔化而脫落，此外，導(dǎo)電層采用高熔點(diǎn)導(dǎo)電材料，焊料層的熔點(diǎn)較導(dǎo)電層的熔點(diǎn)低，有效降低了鍵合溫度，降低了工藝成本。另外，本申請(qǐng)采用公共電極設(shè)計(jì)，即LED芯片陣列共用第一電極，并通過(guò)金屬網(wǎng)格線和/或第一半導(dǎo)體層實(shí)現(xiàn)電流收集與傳輸，有效提高了電流均勻性，提高了器件的光電性能。