ITO薄膜及其制備方法、發(fā)光二極管、發(fā)光設(shè)備和顯示設(shè)備

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202210208839.9 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN114759125A 公開(kāi)（公告）日 2022-07-15
申請(qǐng)公布號(hào) CN114759125A 申請(qǐng)公布日 2022-07-15
分類號(hào) H01L33/12（2010.01）I;H01L33/42（2010.01）I;C23C14/08（2006.01）I;C23C14/35（2006.01）I;C23C14/54（2006.01）I;C23C14/58（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 孫錚;吳濤 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 深圳市思坦科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 深圳中細(xì)軟知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 -
地址 518000廣東省深圳市龍華區(qū)大浪街道同勝社區(qū)工業(yè)園路1號(hào)1棟凱豪達(dá)大廈十三層1309
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)了一種ITO薄膜及其制備方法、發(fā)光二極管、發(fā)光設(shè)備和顯示設(shè)備，ITO薄膜，包括依次層疊于基底上的ITO緩沖層、ITO漸變層和ITO主體層，所述ITO緩沖層的密度最小，所述ITO主體層的密度最大，所述ITO漸變層的密度在從所述ITO緩沖層至所述ITO主體層的厚度方向上逐漸增大，本發(fā)明的ITO薄膜與基底之間以及ITO薄膜各層之間的接觸電阻低。