GaInP/GaAs/InGaAs三結(jié)太陽能電池外延結(jié)構(gòu)

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201210443733.3 申請日 -
公開（公告）號 CN102969387B 公開（公告）日 2016-01-06
申請公布號 CN102969387B 申請公布日 2016-01-06
分類號 H01L31/0725(2012.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 王偉明;顏建;吳文俊;李華 申請（專利權(quán)）人 國電科技環(huán)保集團有限責(zé)任公司
代理機構(gòu) 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 代理人 王偉明;國電科技環(huán)保集團股份有限公司;江蘇宜興德融科技有限公司
地址 214000 江蘇省無錫市宜興市經(jīng)濟開發(fā)區(qū)錦程大道11號D7棟
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開一種GaInP/GaAs/InGaAs三結(jié)太陽能電池外延結(jié)構(gòu)，包括：襯底；在襯底上的腐蝕剝離層；在腐蝕剝離層上的GaInP第一子電池；在第一子電池上的第一隧穿結(jié)；在第一隧穿結(jié)上的GaAs第二子電池；在第二子電池上的晶格過渡層，該晶格過渡層的材料可以為AlInGaAs、GaInP、AlGaInP、GaInPAs、AlGaInAsP等任何晶格常數(shù)在0.5656nm-0.579nm之間，且同時禁帶寬度Eg滿足Eg＞1.4eV的III-V族材料；在晶格過渡層上的第二隧穿結(jié)；和在第二隧穿結(jié)上的InGaAs第三子電池。與傳統(tǒng)技術(shù)相比，本發(fā)明采用P型摻雜的晶格過渡層材料代替?zhèn)鹘y(tǒng)的N型摻雜的晶格過渡層材料，并且改變了第二隧穿結(jié)和晶格過渡層的生長順序，這有利于降低InGaAs材料的線位錯密度，提高InGaAs電池的開路電壓，從而提高了整個三結(jié)太陽能電池的轉(zhuǎn)換效率。